张维连
,
孙军生
,
檀柏梅
,
张恩怀
,
张颖怀
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.011
等价元素锗(Ge),掺入CZ Si中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行.同时,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体(Ge-VX),降低了空位的浓度.因此,锗掺入到CZ Si中可以抑制新施主(ND)的形成速率和最大浓度,提高了硅的高温稳定性,改善硅材料的内在质量.随着Ge浓度的增加,这种抑制施主效应也越明显.本文简要地探讨了Ge在CZ Si中抑制新施主形成的机理.
关键词:
CZ Si
,
等价掺杂(Ge)
,
新施主
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